* 題名: 軟Ｘ線発光分光による界面価電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等: 日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム
* 年月日: 2007年1月12日
* 場所: 広島国際会議場
* 講演の種類: 企画講演（界面の世界に光をあてる）30分

* 題名: シリコン表面上における単一分子のトンネル伝導物性
* 講演者: 山下良之、吉信　淳
* 学会名等: 新機能材料の創成とその基礎科学
* 年月日: 2006年11月21日
* 場所: アルカディア市ヶ谷
* 講演の種類: ポスター

* 題名: 軟X線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面価電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等: シリコンナノテクノロジーワークショップ
* 年月日: 2006年11月13日
* 場所: SPring-8
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: Site-specific observation of valence electronic structures at solid-solid interfaces
* 講演者: Y. Yamashita, S. Yamamoto, K. Mukai, J. Yoshinobu, Y. Harada,Y. Takata, S. Shin, K. Akagi, and S. Tsuneyuki
* 学会名等: 10th International Symposium on Nanoscience at Surfaces.
* 年月日: Oct. 10th, 2006
* 場所: Kashiwa, Japan
* 講演の種類: oral (20min.)

* 題名: 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測
* 講演者: 山下良之、小口和博、向井孝三、吉信　淳、原田慈久、徳島　高、辛　埴、犬宮誠治、杉田義博、奈良安雄
* 学会名等: 日本物理学会.
* 年月日: 2006年9月23日
* 場所: 千葉大学
* 講演の種類: 口頭

* 題名: 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜/Si界面電子状態の直接観測
* 講演者: 山下良之、小口和博、向井孝三、吉信　淳、原田慈久、徳島　高、辛　埴、田村直義、野平博司、服部健雄
* 学会名等: 日本物理学会.
* 年月日: 2006年3月28日
* 場所: 松山
* 講演の種類: 口頭

* 題名: Direct observation of site-specific valence electronic structure in sub-nm region :SiO2/Siinterface
* 講演者: Y. Yamashita and J. Yoshinobu
* 学会名等: JSPS A3 Foresight Program Seminar.
* 年月日: Feb. 27th, 2006
* 場所: Funabashi, Japan
* 講演の種類: oral (30 min.)

* 題名: Direct observation of site-specific valence electronic structure at SiO2/Siinterface
* 講演者: Y. Yamashita, S. Yamamoto, K. Mukai, J. Yoshinobu, Y. Harada, Y. Takata, S. Shin, K. Akagi, and S. Tsuneyuki
* 学会名等: 11th Workshop on Gate Stack Technology and Physics.
* 年月日: Feb. 3rd, 2006
* 場所: Mishima, Japan

* 題名: 軟Ｘ線吸収発光分光法による固体界面価電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:新プロ全体報告会
* 年月日: 2006年1月27日
* 場所: 犬山、愛知
* 講演の種類: ポスター

* 題名: Direct observation of site-specific valence electronic structure at SiO2/Siinterface
* 講演者: Y. Yamashita, S. Yamamoto, K. Mukai, J. Yoshinobu, Y. Harada, Y. Takata, S. Shin, K. Akagi, and S. Tsuneyuki
* 学会名等:4th International Symposium on Surface Science and Nanotechnology.
* 年月日: Nov. 14th, 2005
* 場所: Omiya, Japan
* The Best Poster Award (among 144 candidates)

* 題名: 軟Ｘ線吸収発光分光法による固体界面価電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:放射光表面科学部会シンポジウム
* 年月日: 2005年11月29日
* 場所: 東京大学
* 講演の種類: 招待講演

* 題名: 軟Ｘ線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面価電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:新プロ若手の会
* 年月日: 2005年10月7日
* 場所: 蒲郡
* 講演の種類: ポスター

* 題名: 軟Ｘ線吸収発光分光法による固体界面価電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:新プロ若手の会
* 年月日: 2005年10月6日
* 場所: 蒲郡
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: 軟Ｘ線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面価電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:SELETE セミナー
* 年月日: 2005年8月24日
* 場所: SELETE
* 講演の種類: セミナー講演（60分）

* 題名: Direct observation of site-specific valence electronic structure at interface :SiO2/Siinterface
* 講演者: Y. Yamashita, S. Yamamoto, K. Mukai, J. Yoshinobu, Y. Harada, Y. Takata, S. Shin, K. Akagi, and S. Tsuneyuki
* 学会名等:10th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces.
* 年月日: Jul. 7th, 2005
* 場所: Aix-en-Provence, France
* Prof. Himpsel, who is the first laureate of SSIN Prize, introduced our work that is quite unique and can reveal atom-specific interface
valence structures of various systems during the prize ceremony

* 題名: 軟Ｘ線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面価電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:PF研究会「アンジュレーター放射光による固体物性研究の展望」
* 年月日: 2005年4月13日
* 場所: 高エネルギー加速器研究機構
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: 軟Ｘ線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面価電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之、山本　達、向井孝三、吉信　淳、原田慈久、高田康孝、辛　埴、赤木和人、常行真司
* 学会名等:日本応用物理学会
* 年月日: 2005年3月30日
* 場所: 埼玉大学
* 講演の種類: 口頭

* 題名: 軟Ｘ線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:日本物理学会
* 年月日: 2005年3月25日
* 場所: 東京理科大学野田キャンパス
* 講演の種類: 招待講演（45分）

* 題名: Site-specific observation of the valence electronic structure at SiO2/Si interface
* 講演者: Yoshiyuki Yamashita
* 学会名等:International Symposium on Frontier in Modern Materials Design, Synthesis and Measurements.
* 年月日: Mar. 13th, 2005
* 場所: Hyougo, Japan
* 講演の種類: Poster(+preview)

* 題名: Atomic-level observation of the valence electronic structure at SiO2/Si interface
* 講演者: Yoshiyuki Yamashita
* 学会名等:Chemische Physik Seminar
* 年月日: Jan. 24th, 2005
* 場所: Fritz-Haber-Institut der Max-Planck-Gesellschaft (Germany)
* 講演の種類: oral (60min.)

* 題名: Site-specific observation of the valence electronic structure at SiO2/Si interface
* 講演者: Yoshiyuki Yamashita
* 学会名等:Frontier Conference on Synchrotron Radiation and Related Methods in Advanced Material Science
* 年月日: Jan. 20th, 2005
* 場所: Lund University (Sweden)
* 講演の種類: guest speaker(30min.)

* 題名: 軟X線吸収発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: Yoshiyuki Yamashita
* 学会名等:物性研短期研究会「高輝度放射光を用いた先端科学研究と新たな展開」
* 年月日: 2004年12月10日
* 場所: 東京大学物性研
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: Site-specific observation of the valence electronic structure at SiO2/Si interface
* 講演者: Yoshiyuki Yamashita
* 学会名等:NIMS/ISSP/ICYS Young Scientists' Nanotechnology Miniworkshop
* 年月日: November 26, 2004
* 場所: NIMS, Tsukuba
* 講演の種類: oral(30min. requested)

* 題名: 軟Ｘ線発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之、山本　達、向井孝三、吉信　淳、原田慈久、高田康孝、辛　埴、赤木和人、常行真司
* 学会名等:日本表面科学会
* 年月日: 2004年11月9日
* 場所: 早稲田大学
* 講演の種類: 口頭

* 題名: 軟Ｘ線吸収発光分光法によるSiO2/Si(111)界面電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:SiO2/Si界面構造に関するセミナー
* 年月日: 2004年10月5日
* 場所: 武蔵工業大学
* 講演の種類: セミナー講演

* 題名: 軟Ｘ線発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之、山本　達、向井孝三、吉信　淳、原田慈久、高田康孝、辛　埴、赤木和人、常行真司
* 学会名等:物理学会
* 年月日: 2004年9月15日
* 場所: 青森大学
* 講演の種類: 口頭

* 題名: 軟X線発光分光法による界面原子のサイト選択的電子状態の直接観測:SiO2/Si
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:ISSPワークショップ「ナノスケール表面物性の現状と展望
* 年月日: 2004年8月4日
* 場所: 東大物性研
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: Vibrational Structure in C 1s Photoelectron Spectra of Ethylene on Si(100)(2x1)
* 講演者: Y. Yamashita, K. Mukai, and J. Yoshinobu
* 学会名等:XIV international conference on Vacuum Ultraviolet Radiiation Physics
* 年月日: 2004年7月19日
* 場所: Cairns, Australia
* 講演の種類: poster

* 題名: 軟X線発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之, 山本　達, 向井孝三,吉信　淳, 原田慈久, 徳島　高, 高田恭孝, 辛 埴
* 学会名等:分子ダイナミクス分光ワークショップ
* 年月日: 2004年7月8日
* 場所:アクトシティ浜松コングレスセンター

* 題名: 軟X線発光分光法による界面原子のサイト選択的電子状態の直接観測:SiO2/Si
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:東京大学理学部理論セミナー
* 年月日: 2004年6月23日
* 場所:東京大学理学部
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: 軟X線発光分光法によるSiO2/Si界面電子状態のサイト選択的観測
* 講演者: 山下良之, 山本　達, 向井孝三,吉信　淳, 原田慈久, 徳島　高, 高田恭孝, 辛 埴
* 学会名等:ナノテク最前線2004
* 年月日: 2004年6月21日
* 場所:東京フォーラム
* 講演の種類: 招待講演

* 題名: SiO2/Si界面の軟X線発光分光法による直接観測
* 講演者: 山下良之, 山本　達, 向井孝三,吉信　淳, 原田慈久, 徳島　高, 高田恭孝, 辛 埴
* 学会名等:第二回ナノ学会
* 年月日: 2004年5月9日
* 場所:東京学士会館
* 講演の種類: ポスター

* 題名: Si(100)におけるビニルブロマイド吸着過程のSTMによる直接観測
* 講演者: 山下良之、長尾昌志、向井孝三、吉信　淳
* 学会名等:日本物理学会
* 年月日: 2004年3月27日
* 場所: 九州大学
* 講演の種類: 口頭

* 題名: Quantitative Evidence for Buckled Dimres of the Si(100) Surface at Low Temperature by High Resolution Si 2p Photoelectron Spectroscopy
* 講演者: Y. Yamashita, S. Machida, K. Mukai, J. Yoshinobu
* 学会名等:Symposium on Surface Physics 2004
* 年月日: 2004年1月22日
* 場所: Shizukuishi
* 講演の種類: oral

* 題名: A New Model for C-defect on Si(100)
* 講演者: Y. Yamashita
* 学会名等:Dr. Rohrer's JSPS Award Workshop III
* 年月日: 2003年2月17日
* 場所: ISSP, Univ. of Tokyo
* 講演の種類: poster

* 題名: Si(100)表面のC欠陥の新しいモデル
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:物理学会
* 年月日: 2003年3月29日
* 場所: 東北大学
* 講演の種類: 口頭

* 題名: Direct Evidence for Asymmtric Dimres of the Si(100) Surface at Low Temperature: High Resolution Si 2p Photoelectron Spectroscopy
* 講演者: Y. Yamashita, S. Machida, K. Mukai and J. Yoshinobu
* 学会名等:22nd European Conference on Surface Science
* 年月日: 2003年9月8日
* 場所: Praha
* 講演の種類: poster

* 題名: 高分解能Si 2p光電子分光法を用いた低温Si(001)表面構造の研究
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:物理学会
* 年月日: 2003年9月22日
* 場所: 岡山大学
* 講演の種類: シンポジウム講演

* 題名: 高分解能内殻光電子分光法で観測される吸着分子の振動準位:C2H4 on Si(100)
* 講演者: 山下良之, 向井孝三、吉信　淳
* 学会名等:第２２回吸着分子の分光学的研究セミナー
* 年月日: 2003年12月4日
* 場所: 東京大学物性研究所
* 講演の種類: ポスター

* 題名: High resolution Si2p photoelectron spectroscopy of Si(100) at low temperatures
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:ISSP workshop 「ゆらぐSi(100)の構造」
* 年月日: 2002年2月1日
* 場所: 東京大学物性研究所
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: エチレン/Si(100)における高分解能光電子分光による振動分離されたC1sスペクトルの観測
* 講演者: 山下良之,町田真一,長尾昌志,山本達,掛札洋平,向井孝三,吉信淳
* 学会名等：日本物理学会年会
* 年月日: 2002年3月25日
* 場所: :立命館大学草津キャンパス
* 講演の種類: 口頭

* 題名: シリコン表面と有機分子との出会い：半導体＝有機ナノハイブリッド材料をめざして
* 講演者: 山下良之,吉信淳
* 学会名等：ナノテクノロジー研究推進のための学融合ワークショップ
* 年月日: 2002年5月8日
* 場所: :東京大学物性研究所
* 講演の種類: ポスター

* 題名: シリコン表面と有機分子との出会い：半導体＝有機ナノハイブリッド材料をめざして
* 講演者: 山下良之
* 学会名等：新プロ若手の会
* 年月日: 2002年7月8日
* 場所: :箱根静雲荘
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: Si(100)c(4x2)表面におけるCOの吸着過程：STMによる観測
* 講演者: 山下良之, Md Zakir Hossain, 向井孝三，吉信　淳
* 学会名等：日本物理学会
* 年月日: 2002年9月6日
* 場所: :中部大学
* 講演の種類: ポスター

* 題名: Site-specific Chemical Reaction of the Asymmetric Dimer on Si(100)c(4x2)
* 講演者: Y. Yamashita, S. Machida, and J. Yoshinobu
* 学会名等：日独セミナー
* 年月日: 2002年9月11日
* 場所: 湘南国際村
* 講演の種類: ポスター

* 題名: Site Specific Reaction of Asymmetric Dimer on Si(100)c(4x2) Surface: an STM Study
* 講演者: Yoshiyuki Yamashita, Md Zakir Hossain, Kozo Mukai, and Jun Yoshinobu
* 学会名等：APSIC02
* 年月日: 2002年10月2日
* 場所: :東京大学
* 講演の種類: ポスター

* 題名: Chemical Nature of Wire Structures of Perovskite Transition Metal Oxide on SrTiO3
* 講演者:Y. Yamashita, K. Mukai and J. Yoshinobu, T. Kinoshita, M. Lippmaa, and M. Kawasaki
* 学会名等:The 5th international Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics
* 年月日: 2001年3月2日
* 場所: 東京、健保会館
* 講演の種類: ポスター

* 題名: Conformational isomers of cyclohexene on Si(100)(2x1) observed by STM
* 講演者:Y. Yamashita, K. Mukai, J. Yoshinobu, K. Akagi, and S. Tsuneyuki
* 学会名等:APS
* 年月日: 2001年3月15日
* 場所: USA, Seattle
* 講演の種類: 口頭

* 題名: 高分解能光電子分光で観たSi(100)(2x1)表面と有機分子との結合
* 講演者: 山下良之、吉信　淳
* 学会名等:PF研究会「高度化軟X線光源の表面化学への新展開：静的表面から動的表面・界面」
* 年月日: 2001年3月23日
* 場所: 筑波、PF
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: Si(100)(2x1)における1,4-シクロヘキサジエンの吸着状態の被覆量依存性
* 講演者: 山下良之、浜口香苗、向井孝三、吉信　淳、佐藤智重、岩槻正志
* 学会名等:2001年春季日本物理学会講演会
* 年月日: 2001年3月28日
* 場所: 東京、中央大学多摩
* 講演の種類: 口頭

* 題名: High Resolution Si 2p Photoelectron Spectroscopy for Molecular Adsorption
on Si(100)c(4x2) surfaces
* 講演者:Y. Yamashita, M. Nagao, S. Machida, K. Hamaguchi, F. Yasui, K. Mukai and J. Yoshinobu
* 学会名等:VUV-XIII
* 年月日: 2001年7月26日
* 場所: Italy, Trieste
* 講演の種類: ポスター

* 題名: Si(100)表面上におけるシクロへキセンの吸着状態の温度依存性
* 講演者: 山下良之、向井孝三、吉信　淳
* 学会名等:2001年秋季日本物理学会講演会
* 年月日: 2001年9月19日
* 場所: 徳島、徳島文理大学
* 講演の種類: 口頭

* 題名: Electronic states and growth processes of perovskite nanostructures on SrTiO3(100)
* 講演者: Y.Yamashita, K. Mukai, J. Yoshinobu, M. Lippmaa and M. Kawasaki
* 学会名等:Yamada Conference LVII on"Atomic-scale surface designing for functional low-dimensional materials"
* 年月日: 2001年11月15日
* 場所: 筑波、産総研
* 講演の種類: ポスター

* 題名: 原子レベルで制御された＜有機分子/シリコン＞ハイブリッド構造の作成とその物性
* 講演者: 山下良之, 吉信　淳
* 学会名等:21世紀の分子エレクトロニクス研究の展望と課題
* 年月日: 2000年3月27日
* 場所: 東京、学術会館
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: 原子レベルで制御された＜有機分子/シリコン＞ハイブリッド構造の創製と物性探索
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:花王研究奨励賞受賞記念講演会
* 年月日: 2000年5月31日
* 場所: 東京、花王墨田研究所
* 講演の種類: 招待講演

* 題名:原子レベルで制御された＜機能性有機分子/シリコン＞ハイブリッド構造の創製と物性探索
* 講演者: 山下良之、向井孝三、赤木和人、常行真司、吉信　淳
* 学会名等:有機エレクトロニクス研究会
* 年月日: 2000年7月28日
* 場所: 東京、機械振興会館
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名: High Resolution Si 2p Core-Level Spectroscopy for Molecular Adsorption
on Si(100)c(4x2) surfaces: The Interface Bonding and Charge Transfer
between the Molecule and Si Substrate
* 講演者:Y. Yamashita, M. Nagao, S. Machida, K. Hamaguchi, F. Yasui, K. Mukai and J. Yoshinobu
* 学会名等:ICESS8
* 年月日: 2000年8月8日
* 場所: USA, Univ. Ca. Berkeley　
* 講演の種類: ポスター

* 題名: Y薄膜への水素の吸着・吸蔵とそれにともなう電子状態の変化
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:若手研究者のためのプロチウム新機能研究会
* 年月日: 2000年8月31日
* 場所: 北見
* 講演の種類: 依頼講演

* 題名:SrTiO3(100)基板におけるLa1-xSrxMnO3の成長とステップ細線:XPSとSPMによる研究
* 講演者: 山下良之、向井孝三、吉信　淳, 木下智彦、 M. Lippmaa, 川崎雅司
* 学会名等:2000年秋季日本物理学会講演会
* 年月日: 2000年9月23日
* 場所: 新潟、新潟大学
* 講演の種類: 口頭

* 題名:高分解能光電子分光で観た分子とSi表面との化学結合
* 講演者: 山下良之、長尾昌志、向井孝三、吉信　淳
* 学会名等:物性研放射光施設研究会
* 年月日: 2000年12月27日
* 場所: 柏、東京大学物性研究所
* 講演の種類: ポスター

* 題名: Atomically Controlled Insulator on Si Surfaces
* 講演者:Y. Yamashita and J. Yoshinobu
* 学会名等:The third international Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dynamics
* 年月日: 1999年3月4日
* 場所:福岡
* 講演の種類: ポスター

* 題名: 原子スケールで制御された有機分子＝Siハイブリッドマテリアルの構築をめざして：環状不飽和炭化水素の吸着状態
* 講演者: 山下良之
* 学会名等:東京大学物性研究所表面セミナー「Si表面界面化学の最近の話題」
* 年月日: 1999年3月15日
* 場所: 東京大学物性研究所
* 講演の種類: 口頭

* 題名: Si(100)(2x1)表面上における1,4-シクロヘキサジエンの吸着状態のSTMによる観測
* 講演者: 山下良之、浜口香苗、町田真一、向井孝三、吉信　淳
* 学会名等:東京大学物性研先端領域研究部門研究会「表面・人工物質における物性科学のフロンティア」
* 年月日: 1999年11月10日
* 場所: 東京大学物性研究所
* 講演の種類: ポスター