13:20~13:30	はじめに	東大物性研	吉信淳（世話人）
	座長　小森文夫（東大物性研）
13:30~14:00	固液界面構造及び反応の原子・分子レベルでの制御	東北大院工	板谷謹悟
14:00~14:30	Pt(100)再構成表面の局所トンネル障壁高さ（LBH）計測	筑波大物工	アッサウィン・スインサップ，山田洋一，佐々木正洋，山本恵彦	学生賞応募
14:30~15:00	Despersive-NEXAFS法と反応シュミレーションによるPt(111)表面上の水生成反応の研究	東大院理	長坂将成，近藤寛，雨宮健太，南部英，中井郁代，島田透，太田俊明	学生賞応募
15:00~15:30	10KにおけるSi(001)表面のSTM観察	東大物性研	小野雅紀，鴨志田敦史，石川恵美子，江口豊明，長谷川幸雄	学生賞応募
15:30~15:45	（休憩）
	座長　太田俊明（東大院理）
15:45~16:15	金属･絶縁体基板上におけるSexithiophene(6T)分子の配向制御	東大院新領域	池田進，木口学，吉川元起，宮寺哲彦，斉木幸一朗
16:15~16:45	STMによるGe(001)表面のc(4x2),p(2x2)構造の遷移	東大物性研	高木康多，吉本芳英，中辻寛，小森文夫	学生賞応募
16:45~17:15	In/Cu(001)表面における電荷密度波（CDW）相転移	京大院理	八田振一郎，斎藤友香，奥山弘，西嶋光昭，有賀哲也	学生賞応募
17:15~17:45	銅多結晶表面上に形成された結晶粒塊の顕微光電子分光	理研	宗像利明，相田真己栄，杉山武晴
18:00~	懇親会・夕食	カフェテリア

８月1日（金）

	座長　有賀哲也（京大院理）
9:00~9:30	水素終端シリコン表面上に付着させた孤立高分子鎖の観察	日立基礎研	寺田康彦，チェビョンギ，平家誠嗣，藤森正成，橋詰富博
9:30~10:00	Si(100)におけるビニルブロマイドの前駆状態を経由した吸着過程	東大物性研	長尾昌志，向井孝三，山下良之，吉信淳	学生賞応募
10:00~10:30	赤外反射吸収分光によるPt(111)表面でのメタノールの酸化反応の研究	総研大	澤田健，劉正新，渡邊一也，高木紀明，松本吉泰	学生賞応募
10:30~10:45	（休憩）
	座長　松本吉泰（総研大）
10:45~11:15	Cu(001)上のD,L-alanine吸着構造の研究	宇都宮大院工	江守朗，岩井秀和，江川千佳司	学生賞応募
11:15~11:45	熱輻射強度測定による表面揺らぎの研究	京大院理	梶原行夫，大政義典，八尾誠	学生賞応募
11:45~12:15	Ge/Si(105)表面の高分解能STM/AFM観察	東北大金研，東大物性研，ウィスコンシン大，産総研	秋山琴音，江口豊明，長谷川幸雄，藤川安仁，櫻井利夫，M.G.Lagally，橋本保，森川良忠，寺倉清之	学生賞応募
12:15~13:30	（昼食）
	座長　宗像利明（理研）
13:30~14:00	Si(001)(2x1)表面におけるキャリアダイナミクス：フェムト秒時間分解二光子光電子分光による研究	阪大産研	田中慎一郎，谷村克巳
14:00~14:30	酸素分子によるSi(100)表面の熱酸化初期過程の放射光光電子分光を用いたリアルタイムモニタリング	原研・放射光	吉越章隆，盛谷浩右，寺岡有殿
14:30~15:00	InAs/GaAs(001)表面上量子ドット生成メカニズムと自律パターン成長のシミュレーション	鳥取大工，産総研	石井晃，藤原勝敏，逢坂豪
15:00~	学生賞授与・今後について		世話人

いずれの講演も第１著者が発表者です．
講演時間30分＝口答発表20分＋質疑応答10分
発表は，OHC（A4横置き）あるいはパソコンからの液晶プロジェクタ投影にて行います．OHPも使えますが，拡大率が低いことをご了承ください．