第2回（4月13日）発表者：山下良之「バイアス印加下のXPS測定によるシリコンMOSデバイスの界面凖位分布測定と界面状態の解明」
学生への宿題：１．電子の脱出深度（ユニバーサルカーブ）について説明せよ ２．XPSでSi 2pピークがスプリットする原因について述べよ
第3回（4月20日）発表者：向井孝三「Ag(110)面上の(Ag-O)鎖の光反応と配列構造」および「Cu(100)-c(2x2)Ｎ表面をテンプレートとしたCoのナノ構造形成」
学生への宿題：プラズマ振動数を導出せよ
第4回（4月27日）発表者：浜口香苗「有機（Cuフタロシアニン，PTCDA）＝層状物質エピタキシャル成長界面の電子状態」
学生への宿題：１．表面プラズモンのエネルギーがバルクプラズモンの1/√2になることを示せ 2．真性半導体のフェルミレベルについて説明せよ
第5回（5月13日）連絡のみ
第6回（5月18日）発表者：町田真一「炭素ケイ素クラスターの負イオンの電子脱離」
学生への宿題：XPSにおいて内殼ピークの幅，形状について説明せよ
5月21日 表面セミナー：山田正理「GaAs酸化膜の表面化学」
第7回（5月25日）発表者：吉信淳 論文紹介 1. One-dimensional delocalized adsorbate Bloch states on a semiconductor surface: ethylene/Si(001)(2x1): Widdra et al, Phys. Rev. Lett., 80(1998)4269. 2. Determination of the absolute chirality of individual adsorbed molecules using the scanning tunneling microscope: Lopinski et al, Nature 392(1998)909.
学生への宿題：１．chiralityとは何か？R,Sの定義を復習．2．Blochの定理を復習．
第8回（6月1日）S.Hufner "Photoelectron
Spectroscopy"(Springer)の4章"Continuous satellites and plasmon
satellites:XPS photoemission in nearly free electron
systems"よりp.112-116を輪講（キーワード：screening, single-electron
picture, many-electron picture, threshold singularity, orthogonality
catastrophe, intrinsic&extrinsic plasmon)
学生への宿題：１．プラズモンの多重励起の強度がPoisson分布することを説明せよ 2．Lorentzian（スペクトル形状）について説明せよ
第９回（６月８日）発表者：山下良之 論文紹介 Nanowires on stepped metal surfaces F. J. Himpsel et al, Surface Review and Letters, 4 (1997) 371.
学生への宿題：１．金属表面の鏡像力状態（image state）の凖位について説明せよ 2．fcc，bcc格子の低指数面の表面ブリルアンゾーンを描け．表面ブリルアンゾーンの大きさと格子定数aとの関係を導出せよ 3．理想的な膜厚計（蒸着原子はその場に付着する）の表面に平均6MLの原子が蒸着されたとする．原子が全く付着していないサイトは全体の何%か？3ML,6MLの原子が蒸着されているサイトはそれぞれ全体の何%か？
第10回（６月15日）発表者：向井孝三 論文紹介 A static SIMS study of superficial reaction (O2,(CN)2) on silver：Bourgeois, et al；Surface Science 395(1998)356
学生への宿題：１．bcc結晶のブリルアンゾーンのΣ軸上で対称性がΣ1とΣ４に相当するdオービタルを描け． 2．原子密度が1015個/cm2の結晶表面1cm2に0.1μAのAr+ビームを10分間照射した．スパッタリング効率α=1として，スパッタされる原子数を求めよ．
第11回（６月22日）発表者：浜口香苗 論文紹介 One-dimensional xenon band structures on hydrogen modified and stepped platinum surfaces" P. Trischberger, et al., Surface Science, 377-379 (1997) 155-159．
学生への宿題：１．fcc(997)面を描け（テラスには何列原子があるか？ステップ方向のアジマスは？ステップのファセットは何面か？ (111)面から何度傾いているのか？）
第12回（6月29日）発表者：町田真一 論文紹介 Surface charge ordering transition: α phase of Sn/Ge(111)，J. M. Carpinelli et al, PhysRevLett. 79(1997)2859.
学生への宿題：モット＝ハバード絶縁体について簡単に説明せよ
第13回（7月6日）発表者：町田真一：同上（その2）
学生への宿題：「コーン異常」と「フェルミ面のネスティング」について簡単に説明せよ
第14回（7月13日）発表者：町田真一：同上（その3）
第15回（7月27日）前期のまとめ
第16回（8月31日）発表者：向井孝三 「c(2x2)-N/Cu(100)上におけるCoの成長のSTM観察」
第17回（9月7日）夏の課題演習まとめ
第18回（9月21日）98年度後期の予定など（EELS冷却化，極低温STMの設計など）
第19回（10月5日）発表者 山下良之：論文紹介 STM studies of initial In growth on Si(100)2X1: the In ad-dimer chain and its I-V characteristics, Z.-C. Dong et al, Surf. Sci. 380 (1997) 23
第20回（10月12日）発表者 向井孝三：論文紹介A fast x-ray photoelectron spectroscopy study of the NO-H2 reaction over Rh(533): Identifyaing surface species; Cobden et al, J.Vac.Sci.Technol.A 16 (1998) 1014
第21回（10月19日）発表者 浜口香苗：論文紹介Imaging standing waves in a two-dimensional slsctron gas;M. F. Crommie, et al., Nature 363 (1993) 524-
学生への宿題：1次元，２次元，３次元自由電子の状態密度を求め，図示せよ
第22回（10月26日）発表者：浜口香苗 同上（その２）
第23回（11月16日）発表者 町田真一：論文紹介 The role of Si atoms in In/Si(111) surface phase formation A. A. Saranin, et al., Surf. Sci. 398 (1998) 60-69
物性研究所談話会：11月16日(月) 講師: 三木 一司 博士（電総研） 題目: ビスマス完全細線とエレクトロニクスへの展開
第24回（11月18日），第25回（11月24日）：UVSORでの実験提案＆戦略
11月30日から12月19日まで分子研UVSOR(BL5A)にて光電子分光の実験
第26回（12月21日）分子研でのデータ解析,来春学会発表等打合せ
第27回（1月18日）実験進捗状況報告（全員）
第28回（1月25日）実験進捗状況報告（全員）＆ 論文紹介（吉信）：The interaction of atomic hydrogen with Cu(110) , Sandl et al., Surf. Sci. 291(1993)29.
学生への宿題：表面電子状態でタム状態，ショックレー状態とはどういうものか？
第29回（２月１日）実験進捗状況報告（全員）＆ 論文紹介（山下）：Crystalline Oxide on Silicon: The First Five Monolayers，R. A. McKee et al., PRL 81(1998) 3014．
学生への宿題：1．TEMの結像原理を簡単に説明せよ．2．ペロブスカイト構造を復習．
第30回（2月15日） 実験進捗状況報告（全員）＆ 論文紹介（浜口香苗）Cycloaddition chemistry and formation of ordered organic monolayers on silicon(001) surfaces by J.S.Hovis et al., Surf. Sci. 402-404(1998)1-7.
学生への宿題：1．[2+2]および[4+2]環式付加反応について復習 2．赤外吸収分光の原理（特にIRASとATR＝MIRS）
第31回（2月22日午後から） 実験進捗状況報告（全員）＆ 論文紹介（向井孝三）Nitrogen induced restructuring of Cu(111) and explosive desorption of N2[J.F.Skelly et al, Surf. Sci. 415 (1998) 48-61]．
表面セミナー 2月26日（A棟6F輪講室10:30~）講師：宗像利明博士（理研先任研究員＆物性研客員助教授）「2光子光電子分光（１）原理，装置，鏡像状態」
表面セミナー 3月2日（A棟6F輪講室10:30~）講師：宗像利明博士（理研先任研究員＆物性研客員助教授）「2光子光電子分光（2）吸着系」
第32回（3月8日午前）：実験進捗状況報告（全員）＆ 論文紹介（町田真一）Electronic structure of benzene adsorbed on single-domain Si(100)(2x1), J. Chem. Phys. 108 (1998)5554. その１．
学生への宿題：金属の光学特性について（反射率，ブリュースター角など）
表面セミナー 3月10日（A棟6F輪講室10:30~）講師：宗像利明博士（理研先任研究員＆物性研客員助教授）「2光子光電子分光（3）時間分解」
第33回（3月15日午前）：実験進捗状況報告（全員）＆ 論文紹介（町田真一）Electronic structure of benzene adsorbed on single-domain Si(100)(2x1), J. Chem. Phys. 108 (1998)5554. その2．
表面セミナー「Si表面界面化学の最近の話題」（3月15日午後2:00〜物性研究所A棟6F輪講室にて）
1．赤木和人（東大院理塚田研）：「第1原理計算によるSi表面における水の解離反応ダイナミクス」（30分）
2．須藤彰三(東北大院理)：「カーボン60、カーボン70とシリコン表面の相互作用：HREELS,
STM, PES による研究」（45分）
3．山下良之（東大物性研吉信研）：「原子スケールで制御された有機分子＝Siハイブリッドマテリアルの構築をめざして：環状不飽和炭化水素の吸着状態」（30分）
4．小林光（阪大産研）：「半導体界面の高感度分光学的観測、物性制御と半導体デバイス」（45分）